Esta DRAM es considerada la mas rápida del mundo
SK Hynix anunció el comienzo de la producción a gran escala de la DRAM de alta velocidad HBM2E, la cual permite un ancho de banda de más de 460 GB/s gracias a sus 1024 pines con ancho de banda de 3.6Gb/s. Es la solución DRAM más rápida en la industria, pudiendo transmitir 124 películas Full HD (3.7 GB cada una) por segundo. La densidad es de 16 GB apilando verticalmente ocho chips de 16 Gb a través de la tecnología TSV (Through Silicon Via), alcanzando el doble de capacidad de su predecesora, la memoria HBM2.
HBM2E es la memoria más rápida del mercado, la de mas alta capacidad y menor consumo, siendo una solución de memoria óptima para los sistemas de inteligencia artificial de próxima generación, incluido el aprendizaje profundo y la computación de alto rendimiento, que requieren un rendimiento de máximo nivel.
Esta nueva DRAM sería instalada en la Exascale, una supercomputador de alto rendimiento que puede realizar cálculos un quintillón de veces por segundo, la cual dirigirá investigaciones medicas, cambios climáticos, y exploración espacial.